Material Mn4Si7 merupakan material semikonduktor tipe – p yang tergolong ke dalam High Manganese Silicides (HMS). Material ini berpotensi dijadikan material termoelektrik karena mempunyai nilai figure of merit (ZT) yang tinggi. Oleh karena itu pada penelitian ini kami melakukan perhitungan teoritik untuk mengetahui sturktur elektronik dan sifat termoelektrik pada material Mn4Si7 dengan space group nya P4c2 dengan sistem bulk. Untuk perhitungan struktur elektronik dilakukan dengan menggunakan software Quantum ESPRESSO sedangkan perhitungan sifat termoelektrik dengan menggunakan BoltzTrap. Hasilnya, diperoleh struktur elektronik yang menunjukkan bahwa material Mn4Si7 merupakan material semikonduktor dengan band gap sebesar 0.77, serta diperoleh nilai ZT maksimum pada temperatur 800 K sebesar 0.47. Dalam penelitian telah dilakukan perbandingan pula sifat termoelektrik hasil perhitungan teoritis dengan hasil eksperimen dan didapatkan analisa bahwa untuk mendapatkan sifat termoelektrik yang mendekati eksperimen harus dilakukan pergeseran nilai potensial kimia (μ) sebesar -0.495 eV yaitu dari 15.008 eV menjadi 14.513 eV. Setelah dilakukan pergeseran sifat termoelektrik baik perhitungan teoritis maupun eksperimen mempunyai trend yang sama.
Kata kunci : Density Functional Theory, Figute of Merit, High Manganese Silicides, Termoelektrik.